HIKSEMI
Unidad de estado solido (SSD) HIKSEMI FUTUREX 512GB M.2 2280, Interfaz: PCIe Gen4 x4
US$ 115.58 + IGV
Disponible en Lima
Solicitar cotizaciónPrecios referenciales en dólares americanos, no incluyen IGV. Sujetos a disponibilidad y a variación sin previo aviso; el precio final se confirma en la cotización.
Descripción
Unidad de estado solido (SSD) HIKSEMI FUTUREX 512GB M.2 2280, Interfaz: PCIe Gen4 x4
El SSD HIKSEMI FUTUREX 512GB (HS-SSD-FUTUREX 512G) ofrece alto rendimiento para equipos de escritorio y portátiles compatibles con M.2 NVMe. Su interfaz PCIe 4.0 x4 y memoria 3D TLC alcanzan velocidades de hasta 7,050 MB/s en lectura y 4,200 MB/s en escritura, acelerando el arranque del sistema y la carga de aplicaciones. Su formato M.2 2280 con disipador térmico brinda estabilidad, confiabilidad y larga vida útil para uso profesional y gaming.
El SSD HIKSEMI FUTUREX 512GB (HS-SSD-FUTUREX 512G) ofrece alto rendimiento para equipos de escritorio y portátiles compatibles con M.2 NVMe. Su interfaz PCIe 4.0 x4 y memoria 3D TLC alcanzan velocidades de hasta 7,050 MB/s en lectura y 4,200 MB/s en escritura, acelerando el arranque del sistema y la carga de aplicaciones. Su formato M.2 2280 con disipador térmico brinda estabilidad, confiabilidad y larga vida útil para uso profesional y gaming.
Especificaciones
| Descripcion Del Producto | UNIDAD DE ESTADO SOLIDO (SSD) |
|---|---|
| Marca | HIKSEMI |
| Modelo | HS-SSD-FUTUREX 512G |
| Capacidad | 512 GB |
| Interfaz | PCIe Gen4 x4 |
| Velocidad De Lectura | 7050 MB/S |
| Velocidad De Escritura | 4200 MB/S |
| Terabyte Escrito (Ssd-Pcie) | 900 TB |
| Formato | M.2 2280 |
| Tipo De Chip | 3D NAND TECHNOLOGY |
| Caracteristicas Tecnicas | MTBF: 2,000,000 HORAS |
| Condiciones De Operacion | TEMPERATURA DE OPERACION 0°C ~ 70°C |
| Condiciones De Almacenaje | TEMPERATURA DE ALMACENAJE -40˚C ~ 85˚C |